Выпуск 2, 2015

Распределение критической мощности при исследовании стойкости к воздействию импульса электрической мощности в биполярных транзисторных структурах

Венедиктов М.М., Киселев В.К.

Рассмотрены методы статистической оценки аналитически установленного среднего значения порога наступления повреждения в полупроводниковых транзисторных структурах при воздействии импульсной электрической мощности на основании экспериментальных выборок. Сравниваются результаты использования нормального и логарифмически нормального распределений при решении задачи о сходимости теоретического и экспериментального законов.
Ключевые слова: импульсная электрическая мощность, законы распределения, оценка критической мощности.

Применение метода построения двухсвязной доверительной S-области к исследованию влияния импульсных электромагнитных полей на биполярные транзисторы

Венедиктов М.М., Киселев В.К.

Изучено влияние импульсного магнитного поля на биполярные транзисторные структуры, показана возможность применения метода построения двухсвязной доверительной S-области для установления факта влияния импульсных электромагнитных полей на изменение коэффициента усиления транзисторов.
Ключевые слова: полупроводниковые приборы, электромагнитный импульс, деградация характеристик, доверительный интервал.

Накопление поглощенной дозы на околоземных орбитах космических аппаратов при воздействии потоков частиц солнечных космических лучей

Кузнецов Н.В., Ныммик Р.А., Панасюк М.И., Юшков Б.Ю., Бенгин В.В., Митрикас В.Г.

Представлена расчетная методика, позволяющая прогнозировать накопление поглощенной дозы на околоземных космических аппаратах в процессе развития протонного события солнечных космических лучей (СКЛ). Методика использует данные о потоках протонов СКЛ, регистрируемых на геостационарных спутниках. Приведен пример расчетной зависимости поглощенной дозы в сравнении с данными штатной системы радиационного контроля МКС.
Ключевые слова: поглощенная доза, солнечные космические лучи, МКС, геостационарный спутник.

Структура вычислительных средств для исследования радиационной стойкости полупроводниковых приборов и информационная безопасность процедуры моделирования

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Линев А.В., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю.

Разработана методика построения локальной вычислительной сети для экспериментальных исследований и моделирования полупроводниковых структур и приборов с использованием технологии суперкомпьютерных вычислений. Произведена оценка внутренних угроз безопасности локальной вычислительной сети с учетом создания внешнего защищенного канала обмена информацией. Обсуждаются особенности организации моделирования радиационной стойкости полупроводниковых приборов.
Ключевые слова: моделирование полупроводниковых приборов, расчет тепловых полей полупроводников, оценка информационной безопасности, локальная вычислительная сеть.

Исследование зависимости плотности структурных повреждений в кремниевых полупроводниковых приборах от плотности потока нейтронного и протонного излучений

Улимов В.Н.

Приведены экспериментальные результаты исследований зависимости рекомбинационных свойств структурных повреждений от плотности потока нейтронов и протонов при радиационных испытаниях.
Ключевые слова: плотность потока излучения, нейтроны, протоны, структурные дефекты.

Радиационная стойкость планарных диодов Ганна

Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И.

Теоретически исследована радиационная стойкость планарных диодов Ганна. Показано, что использование дельта-слоев легирующей примеси и квантовых ям способствует повышению уровня стойкости диодов на порядок по сравнению с обычными «объёмными» диодами.
Ключевые слова: моделирование полупроводниковых приборов, исследование радиационной стойкости, планарный диод Ганна.

Резервированный преобразователь кода в напряжение для систем управления, работающих в экстремальных условиях

Антимиров В.М., Смельчакова Г.А., Миловидов Е.М., Язева В.В.

Рассмотрены вопросы создания резервированного преобразователя код-напряжение с характеристиками, позволяющими применять устройство в системах, работающих в экстремальных условиях: в ракетно-космической, авиационной технике и комплексах, применяемых для ликвидации аварий в атомной промышленности.
Ключевые слова: преобразователь код-напряжение, преобразователь код-ток, бортовой управляющий вычислительный комплекс, фильтр низких частот, резервирование.

Исследование радиационной стойкости кварцевых генераторов ГК81-П-Д2 при воздействии импульсного гамма-излучения

Лоскот А.И., Митин Е.В.

Представлены результаты экспериментальных исследований радиационной стойкости кварцевых генераторов ГК81-П-Д2 при воздействии импульсного гамма-излучения с использованием импульсного сильноточного ускорителя электронов прямого действия типа АРСА А0413. Представлена зависимость времени потери работоспособности кварцевых генераторов от коэффициента регенерации автогенератора.
Ключевые слова: кварцевый генератор, радиационная стойкость, экспериментальные исследования.

Результаты исследования нестабильности частоты и уровня выходного сигнала прецизионных кварцевых генераторов при воздействии гамма-излучения

Лоскот А.И., Гильванов П.Р.

Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости кратковременной нестабильности частоты прецизионных кварцевых генераторов от мощности гамма-излучения и уровня выходного сигнала, а также долговременной нестабильности частоты от накопленной дозы.
Ключевые слова: кварцевый генератор, кратковременная нестабильность, девиация Аллана, девиация Адамара.

Метрологическое сопровождение испытаний при использовании полей электронного и тормозного излучений

Цветков И.И.

Приведены технические и метрологические данные государственного первичного эталона ГЭТ 72-01, средства измерения и вспомогательное оборудование которого используются для аттестации полей электронного и тормозного излучений испытательного оборудования (моделирующих установок). Приведены результаты выполненных работ по аттестации полей исследовательских и специальных установок, промышленных ускорителей и ускорителей, встроенных в технологические линии, за период с 2005 по 2014 гг.
Ключевые слова: эталон, метрологическое сопровождение, аттестация испытательного оборудования.