Представлено обоснование пространственного разнесения регистров сверхбольших интегральных схем (СБИС) для уменьшения частоты многократных сбоев при воздействии тяжелых заряженных частиц. Приводятся результаты моделирования кратности сбоев в модулях процессоров, разрабатываемых в рамках текущих опытно-конструкторских разработок. Приведена методика разнесения чувствительных элементов СБИС в рамках стандартного функционала современных средств автоматизированного проектирования.

Представлены результаты применения методики оценки сбоеустойчивости комбинационных схем для анализа сбоев в системе чтения регистровых файлов. Описаны и проанализированы переходные процессы, вызванные попаданием одиночных частиц в элементы системы чтения, имеющие разные принципы работы.

Проведён анализ среднего времени доступа к кэш-памяти в зависимости от размера L1 кэш-памяти с различными вариантами реализации L1 и L2 – на DICE и 6T ячейках с использованием и без использования корректирующих кодов.

Предложен один из способов обработки результатов испытаний цифровых интегральных микросхем на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ), или ионов различных энергий космического пространства, который состоит в особенностях интерпретации зависимости поперечного сечения единичных сбоев в области малых значений линейных потерь энергии (linear energy transfer – LET).

Показана неоднозначность традиционного метода приближенной оценки интенсивности сбоев с помощью «числа качества» (figure of merit) и предложена новая формула для расчёта. Предложена новая процедура расчета количества сбоев в космическом пространстве, вызванных прямой ионизацией тяжелыми заряженными частицами, основанная на новой параметризации надпорогового участка зависимости сечения от линейной передачи энергии.

Представлены экспериментальные данные и зависимости изменения параметров МОП-транзисторов КМОП ИМС под воздействием низкоинтенсивного гамма-излучения с мощностями дозы 0,1 и 1,0 рад/с. Продемонстрировано использование методики подпороговых токов для определения числа встроенных поверхностных дефектов. Подтвержден процесс двухэтапного образования поверхностных дефектов.

Предложена методика применения МОП-транзисторов в качестве детекторов дозовой нагрузки. Методика основывается на использовании физически обоснованной дозовой зависимости вольт-амперных характеристик (ВАХ) p-канальных МОП-транзисторов от поглощенной дозы. По результатам калибровки с помощью электрофизической модели дозовых эффектов определяются численные значения параметров дозовой зависимости ВАХ, на основании которой по результатам измерения тока стока МОП-транзистора в надпороговом режиме рассчитывается величина поглощенной дозы.

Представлены результаты испытаний изделий MAX280, IRFL4105, CDCLVC1102, MSA2805, MSA2815, ADM2486, TPS62040 и TPS3823 в активном и пассивном электрических режимах. Показано отличие в радиационной стойкости изделий по дозовым эффектам в активном и пассивном режимах, которое необходимо учитывать при оценке радиационного ресурса бортовой аппаратуры космических аппаратов с «холодным» резервированием.

Исследовано приложение положений РД В 319.03.31 к испытаниям многоэлементных электрорадиоизделий (ЭРИ) на стойкость к воздействию спецфакторов. Показано, что применение положений данного РД существенно затрудняет оценку стойкости к воздействию спецфакторов таких изделий.

Современные методики радиационных испытаний требуют формирования импульсов гамма-излучения на моделирующей установке в диапазоне длительности 0,01÷3,0 мкс при неизменном уровне мощности дозы. На ускорителе УИН-10 определена зависимость длительности переднего фронта импульса тока в вакуумном диоде, а также характеристики импульса тормозного излучения при работе в режиме генерирования сфокусированного пучка от параметров электровзрывного прерывателя тока (количество проводников, их сечение и длина). Для обеспечения задачи корректирования заднего фронта импульса в конструкцию ускорителя введён бескорпусный «срезающий» разрядник, установленный между электровзрывным прерывателем и обостряющим разрядником.

Осуществлена модернизация ускорителя УИН-10, позволившая повысить воспроизводимость характеристик импульса гамма-излучения посредством использования катодного разрядника в цепи перед вакуумным диодом.

С целью повышения производительности ускорителя УИН-10 разработана конструкция катод-анодного узла, предусматривающая установку вакуумного затвора и обеспечивающая быструю смену мишени без снятия вакуума. Конструкция также позволяет производить измерение тока на мишени в постоянной конфигурации пучка.

Исследовано влияние давления в газовом обостряющем разряднике на формирование высоковольтного импульса в ускорительной трубке ускорителя УИН-10. Показано, что с ростом давления в обостряющем разряднике возникает прирост высокоэнергетической компоненты спектров электронного и тормозного излучения, а также происходит укорочение длительности переднего фронта, изменение длительности и формы импульса тормозного излучения.

Приведена конструкция датчика тока с шунтом на основе чип-резисторов для измерения нано- и субнаносекундных импульсов тока амплитудой до 1000 А. Датчик тока предназначен для измерения отдельных составляющих конструкционных токов с целью исследования их распределения по элементам конструкции летательного аппарата.