MENU

Стр.
Выпуск 2, 2016
5-10
Предложения по развитию метода оценки радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к одиночным эффектам

К.Г. Сизова1, Ю.А. Ветринский2, П.К. Скоробогатов3, М.О. Прыгунов1

1ООО «НПЦ «Гранат»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: ksizova@npcgranat.ru
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
г. Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Предложен вариант развития существующего метода оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию заряженных частиц космического пространства по одиночным эффектам, позволяющий учитывать функциональную сложность аппаратуры и эффективность применения современных средств парирования отказов и сбоев. Приведены результаты сравнения показателей стойкости полезной нагрузки космического аппарата, полученные на базе существующего и модифицированного методов.

Ключевые слова: вероятность, отказ, сбой, ионизирующее излучение, космический аппарат, одиночные эффекты, радиационная стойкость, радиоэлектронная аппаратура, расчетно-экспериментальный метод оценки.
11-16
Выбор критериев отказа при проведении испытаний интегральных микросхем FLASH-памяти и ПЛИС с конфигурационной памятью на основе FLASH на стойкость к воздействию ТЗЧ

А.И. Озеров, А.В. Бесецкий, В.В. Емельянов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: aiozerov@niipribor.ru

Представлен принцип выбора оптимальных критериев отказа для интегральных микросхем Flash-памяти и ПЛИС с конфигурационной памятью на основе Flash запоминающих устройств при испытаниях на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц.

Ключевые слова: тяжелые заряженные частицы, функциональный контроль, события одиночных эффектов, запоминающие устройства Flash.
17-20
Деградация p-канальных МОП-транзисторов при воздействии термоэлектрических нагрузок и ионизирующего излучения

A.С. Петров, К.И. Таперо, М.С. Петров, Г.М. Мосина

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: as_petrov@inbox.ru

Исследована деградация p-канальных МОП-транзисторов при воздействии термоэлектрических нагрузок и ионизирующего излучения. Показано, что для МОП-транзисторов, которые не чувствительны к эффектам температурной нестабильности при подаче смещения, предварительное облучение дозой 50 крад не влияет на их отклик и на последующие термоэлектрические нагрузки, в то время как предварительные термоэлектрические нагрузки усиливают скорость деградации транзисторов при последующем облучении.

Ключевые слова: МОП-транзисторы, термоэлектрические нагрузки, ионизирующее излучение.
21-25
Особенности испытаний вакуумных коммутирующих устройств на воздействие ионизирующих излучений

А.С. Петров

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: as_petrov@inbox.ru

Представлены результаты исследования влияния импульсного гамма-излучения, статического гамма-излучения и гамма-нейтронного излучения на различные типы вакуумных коммутирующих устройств (ВКУ). Также приведены результаты оценки степени влияния измерительной оснастки при испытаниях ВКУ на воздействие импульсного ионизирующего излучения.

Ключевые слова: вакуумные коммутирующие устройства, ионизирующее излучение, токи утечки.
26-31
Экспериментальные и теоретические исследования радиационно-индуцированной проводимости полимеров, используемых в электровакуумной термоизоляции космических аппаратов

Р.Ш. Ихсанов1,2, М.А. Афанасьева2, В.С. Саенко2, А.П. Тютнев2

1АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: risi@niipribor.ru
2Московский институт электроники и математики НИУ «Высшая школа экономики»
г. Москва, Россия

Проведен обзор основных результатов в области радиационно-индуцированной проводимости и электризации полимеров, полученных в течение последних 30 лет. Особое внимание уделено уникальной экспериментальной методике, основанной на использовании портативного электронного ускорителя, и позволяющей проводить как радиационно-индуцированную проводимость, так и подвижность носителей заряда. Также обсуждаются квазизонная и прыжковая теории транспорта носителей заряда в молекулярно-допированных полимерах.

Ключевые слова: радиационно-индуцированная проводимость полимеров, электризация космических аппаратов, молекулярно-допированные полимеры, прыжковый транспорт носителей заряда.
32-38
К исследованию деградации оптических свойств защитных стёкол солнечных батарей под действием магнитосферной плазмы

Р.Х. Хасаншин1, В.И. Костюк1, С.Б. Коровин2, А.В. Косогоров3, К.А. Комаров3, А.С. Юсова3

1ОАО «Композит»
г. Москва, Россия
e-mail: rhkhas@mail.ru
2Институт Общей Физики им. А.М. Прохорова РАН
г. Москва, Россия
3Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
г. Москва, Россия

Исследованы изменения структуры поверхностей защитных стекол К-208 и CMG, используемых в качестве защитных покрытий солнечных батарей космических аппаратов, при одновременном воздействии на их образцы электронов и протонов с энергиями Ee = 40 кэВ и Eр = 20 кэВ соответственно. Изучение поверхностей образцов методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) позволило выявить появление на них микроскопических структур, не обусловленных электростатическими разрядами. Облучение образцов проводилось в вакуумной камере при давлении pv = 10-4 Па и плотностях потоков электронов φe и протонов φр от 1010 до 2,0∙1011 см-2с-1. Показано, что при указанных условиях облучения характер структурных изменений поверхностей зависит от соотношения параметров φe и φр. Появление микровыступов на поверхностях образцов объясняется протекающими в облучаемом слое стекла процесcами радиационно-стимулированной диффузии и отжигом дефектов.

Ключевые слова: электронно-протонное облучение, стекло К-208, стекло CMG, структура поверхности, атомно-силовая микроскопия.
39-41
Сравнительный анализ конструктивных характеристик генераторов Маркса методом макетирования

В.В. Кочергин1, Н.В. Варламов2

1АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: risi@niipribor.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Рассмотрены вопросы по улучшению технических характеристик генераторов Маркса, предназначенных для зарядки водяных формирующих линий питания, индуктивных накопителей энергии с плазменным размыкателем тока. Для выбора оптимальной компоновки разрядной цепи генератора Маркса из импульсных конденсаторов ИК100-0,4, ИК200-0,1 или ИК200-0,05 использовался метод полномасштабного макетирования. Сопоставление разрядных цепей показало, что использование конденсаторов с зарядным напряжением 200 кВ позволяет значительно улучшить характеристики генератора Маркса.

Ключевые слова: генератор Маркса, импульсный конденсатор, индуктивность разрядной цепи, собственная индуктивность конденсатора, индуктивность обратного токопровода.
42-45
Радиационная стойкость прецизионных кварцевых генераторов к воздействию высокоэнергетических протонов

А.И. Лоскот, П.Р. Гильванов

Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: loskot@bk.ru

Представлены результаты исследований и расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости прецизионных кварцевых генераторов ГК271-ТС к воздействию высокоэнергетических протонов.

Ключевые слова: кварцевый генератор, радиационная стойкость, кратковременная нестабильность, девиация Аллана, девиация Адамара.
46-51
Особенности формы импульса ускорителя РИУС-5

Н.И. Терентьев, В.А. Казаков, Ю.С. Лойко, А.В. Кириллов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: niterentev@niipribor.ru

Проведен анализ результатов измерения формы импульса мощности экспозиционной дозы на мишени ускорителя, на расстояниях 0,1 и 0,7 м от мишени за год эксплуатации методики М 193. Выявлена значительная неоднородность поля излучения на мишени и различие в форме импульса по сравнению с точкой 0,7 м. Испытателям при необходимости точных измерений мощности дозы вблизи мишени предложено проводить их прямо на объектах.

Ключевые слова: форма импульса мощности экспозиционной дозы, методика измерений, алмазные детекторы, ускоритель электронов РИУС-5.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 552-39-31
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru