Обобщены результаты испытаний на воздействие спецфакторов изделий твердотельной СВЧ-электроники, созданных на основе различных материалов. Обозначены основные проблемы при проведении испытаний этого класса изделий. Предложены пути развития методов испытаний.

Исследовано воздействие нейтронного облучения на напряжение пробоя U_проб и напряжение ограничения U_огр ограничителей. Установлено, что величина отношения U_проб(Ф)/U_проб(0) практически не зависит от исходного U_проб(0), а также от исходного удельного сопротивления кремния. Предложен метод расчета радиационной стойкости ограничителя напряжения, учитывающий ее геометрические характеристики, исходное удельное сопротивление кремния, исходные значения напряжения пробоя и напряжения ограничения, тока ограничения и градиента концентрации примеси.

Представлены методы учета влияния температуры окружающей среды на дрейф информативного параметра детектора поглощенной дозы. Разработанные методы позволяют учитывать температурный дрейф тока стока р-канальных транзисторов из состава ИМС, используемых в качестве дозиметров поглощенной дозы, и минимизировать погрешность измерения поглощенной дозы от температурных условий.

Представлены экспериментальные результаты изменения коэффициента передачи тока K_I для оптронов с биполярным выходным фототранзистором при облучении гамма-квантами, быстрыми нейтронами, высокоэнергетическими протонами и электронами. На основании представленных результатов показано, что изменение K_I оптронов в реальных космических условиях во время работы на орбите не может быть получено в виде простой комбинации кривых, описывающих изменение K_I от ионизационной дозы D_ион и изменения K_I от дозы структурных повреждений D_стр. В некоторых случаях такая комбинация действительно может быть найдена, однако она не может рассматриваться в качестве универсальной функции, подходящей для описания радиационного отклика всех видов оптронов для каждого типа радиационных условий в космическом пространстве. В статье предлагается метод определительных испытаний оптронов на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства.

Рассмотрены пространственные и временные распределения пикселей с большой величиной темнового тока в ПЗС-матрицах, облученных протонами и нейтронами на синхроциклотроне ПИЯФ. Приведены данные об образовании кластеров спайков в облученных матрицах.

Представлены результаты оценки относительной эффективности воздействия электронов с энергией в спектре до 1,8 МэВ и гамма-излучения Со⁶⁰ на КМОП БИС 1632РТ1Т.

Проведены эксперименты по облучению источников питания для морского и наземного применения, имеющие стойкость к воздействию фактора С3, равного 2У и многоканальных источников питания с функциями телеметрии для космического применения со стойкостью по основным параметрам до 1,15∙2У. Показано, что разработанные, преимущественно на отечественной элементной базе, источники питания соответствуют высоким требованиям по радиационной стойкости и могут применяться в аппаратуре космических аппаратов с длительным сроком активного существования, а также аппаратуре специального назначения.

Рассмотрены особенности динамики тиристорного эффекта в интегральных микросхемах КМОП-технологии при действии импульсного тормозного излучения. Показана возможность использования концепции критического заряда для анализа результатов экспериментов при объемной и локальной ионизации тиристорной структуры. Предложена методика отбора интегральных схем, устойчивых к тиристорному эффекту при действии тяжелых заряженных частиц, с использованием импульсного тормозного излучения.

Разработан и исследован макет субнаносекундного ускорителя электронов на базе малогабаритного ускорителя АРСА с газонаполненным формирователем (азот ~ 4 МПа). Принцип работы формирователя заключается в зарядке короткой накопительной линии и ее разрядке на ступенчатую линию с ускорительной трубкой, генерирующей электроны. Длительность импульса тока электронного пучка не превышает 0,3 нс, амплитуда тока ~ 1 кА.

Показано, что дозиметрическое обеспечение радиационных испытаний и исследований образцов можно качественно повысить, если сопровождать эксперименты измерением не только дозовых, но и спектрально-энергетических характеристик тормозного излучения, падающего на исследуемый образец. Предложена методика и устройство для измерения интегральных и динамических характеристик воздействующих факторов тормозного излучения импульсных ускорителей электронов на испытуемые образцы.