Предложен подход к прогнозированию множественных сбоев в цифровых ИС высокой степени интеграции при действии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) с учетом таких факторов, как радиальное распределение плотности ионизации в треке ТЗЧ, флуктуации линейных потерь энергии ТЗЧ при прохождении через чувствительный объем интегральных микросхем и диффузионный сбор заряда элементарными ячейками памяти, попадающими в зону влияния трека.

По результатам публикаций подвижности носителей заряда в полимерных материалах проведено восстановление первичных измеренных данных во времяпролетном эксперименте скорости носителей. Установлено, что восстановленная скорость носителей заряда однородна по толщине пленки в 19-ти из 22-х независимых опытов, что означает моноэнергетичность ловушек в большинстве материалов. Функции Аррениуса для скорости в трех (из семи) независимых опытах для поливинилкарбазола (ПВК) линейны и пересекаются вблизи оси ординат, что означает отсутствие в ПВК противоречия теории и эксперимента, которое наблюдается в случае использования подвижности.

Проведен сравнительный анализ результатов исследований методами атомно-силовой микроскопии морфологии стекол К-208 и CMG, облученых электронами. Показано, что количество и высота микровыступов и глубина разрядных каналов-параметров, характеризующих структурные изменения поверхностей стекол, обусловленные электростатическими разрядами при облучении в одинаковых условиях, существенно отличаются.

Проведены исследования радиационной стойкости микросхем DS18B20, DS18B20+ и DS18B20/GG8 при воздействии гамма-излучения на установках с изотопными источниками ⁶⁰Со. Показано, что радиационная стойкость микросхем DS18B20 зависит от температуры окружающей среды, напряжения питания микросхемы и мощности дозы гамма-излучения.

Рассмотрены фотопреобразователи на основе гетеропереходов GaAs-InGaAs, рассчитанные на длину волны лазерного излучения 970±30 нм. Представлена методика исследований их стойкости к воздействию импульсного ионизирующего излучения и результаты измерений. Показана степень деградации характеристик структур после воздействий разного вида излучений.

Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний на сапфире. Показано, что их основные параметры не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.

Рассмотрены технология и алгоритм одновременного воспроизведения заданных значений флюенса нейтронов с энергиями более 0,1 МэВ и экспозиционной дозы гамма-излучения, являющихся нормами испытаний изделий электронной техники на реакторе ПРИЗ-М. Анализируются параметры излучений в ближней зоне реактора, в том числе при использовании устройств, конвертирующих часть нейтронов в гамма-кванты.