Предложен метод расчетной оценки потока нейтронов ядерного реактора, эквивалентного по структурным повреждениям Ф_{n экв} изделий микроэлектроники на основе кремния потоку протонов космического пространства. Метод учитывает тип орбиты космического аппарата (КА) и эквивалентную толщину защиты чувствительной области изделия. Показано, что для трех орбит КА и толщин защиты от 2 до 15 г/см² (Al) оценку Ф_{n экв} можно получить пересчетом значений локальной ионизационной дозовой нагрузки изделия от действия протонов космического пространства, используя рассчитанный постоянный коэффициент K_{pn экв}.

Представлены методика и результаты экспериментальных исследований выхода заряда из треков ионов железа, криптона, ксенона и висмута с энергией в диапазоне от 3 до 25 МэВ/а.е.м. в подзатворном диоксиде кремния мощных МОП-транзисторов.

Приведены методика и экспериментальные результаты исследований одиночных радиационных эффектов в диодах Шоттки (ДШ) различных конструктивно-технологических вариантов при воздействии тяжелых заряженных частиц. Установлено, что в ДШ возникают катастрофические отказы, связанные с повреждением перехода металл-полупроводник, а также одиночный радиационный эффект переходной ионизационной реакции (SET).

Предложена конструкция концентратора нейтронов с каналами эллиптического профиля, выполненного в виде блоков пластин из профилированного графита и алюминия. Эксперименты проводили в канале ГЭК-4 на реакторе ИРТ-Т НИ ТПУ. Интегральный поток нейтронов составил (2,3-3,02)·10¹⁷ см^-2. Нейтронный поток детектировали по изменению удельного электросопротивления пластин монокристаллического кремния. Эффект концентрирования тепловых нейтронов зарегистрирован как на блоке графитовых нейтронных зеркал, так и на блоке алюминиевых тонкостенных эллиптических зеркал.

Рассмотрены радиационно-индуцированные изменения входного тока биполярного входного каскада БиКМОП операционных усилителей в зависимости от мощности дозы гамма-излучения и от температуры во время облучения. Показано, что температурный коэффициент усиления деградации при облучении K_D имеет немонотонную зависимость от мощности дозы: повышенная температура обеспечивает максимальное увеличение деградации в диапазоне мощности дозы 0,1-1 рад(Si)/с, в то время как облучение при высокой (≥ 10¹ рад(Si)/с) и низкой мощности дозы (≤ 10^-2 рад(Si)/с) дает приблизительно одинаковые значения K_D. Этот диапазон может быть рекомендован для ускоренных испытаний биполярных и БиКМОП изделий в случае, если ожидаемые условия применения предполагают низкоинтенсивное облучение, сопровождаемое повышенной температурой.

Представлены результаты испытаний изделий HI-1567 и CY7C057V-15 в активном электрическом режиме. Показано отличие в радиационной стойкости изделий по дозовым эффектам при различных уровнях мощности дозы, которое учитывается при необходимости изменения интенсивности воздействия ионизирующего излучения для проведения ускоренных испытаний.

Приведены результаты расчетного моделирования, дан анализ радиационных нагрузок на аппаратуру космических аппаратов (КА), выводимых на рабочую орбиту с помощью двухступенчатого разгонного блока (РБ), у которого первая ступень оснащена двигательной установкой (ДУ) на основе жидкостного ракетного двигателя (ЖРД), вторая ступень – электроракетной ДУ. Проведено сравнение радиационных нагрузок для случаев выведения КА двухступенчатым РБ и типовым одноступенчатым РБ с ЖРД.

Приведены исследования светопропускания ячейки Поккельса, изготовленной на базе кристалла DKDP, при воздействии импульса тормозного излучения. Воздействие на ячейку в запитанном состоянии приводит к обратимому изменению интенсивности проходящего через ячейку оптического излучения и, в зависимости от амплитуды поданного напряжения может приводить как к приросту, так и к уменьшению светопропускания ячейки. Показано, что данный эффект связан с уменьшением эффективной напряженности электрического поля в кристалле ячейки, что, по всей видимости, вызвано экранированием поля в кристалле радиационно-индуцированным зарядом.

Представлены результаты исследований реакции конденсаторов, выполненных на основе сегнетоэлектрика BaTiO₃, на стационарное и импульсное воздействие ионизирующего излучения. Показано, что относительное изменение заряда сегнетоэлектрических конденсаторов при стационарном облучении на порядок ниже, чем для танталовых электролитических и бумажных конденсаторов, а также, что при воздействии гамма-импульса на обкладках конденсаторов из BaTiO₃ наблюдается прирост зарядного напряжения. Анализ, представленный в работе, показал, что увеличение зарядного напряжения обусловлено пироэлектрическим эффектом, который характеризуется проявлением спонтанной поляризации при изменении температуры образца, что имеет место при воздействии импульса ионизирующего излучения.

Представлен разработанный коллективом авторов АО «Морион» и ВКА имени А.Ф. Можайского эквивалент генератора для контроля параметров кварцевых резонаторов в процессе и после воздействия импульсных гамма-нейтронных излучений. Показаны его возможности и принципиальное отличие от известных прототипов.