С помощью аналитической модели глобальных токовых утечек под STI изолирующими окислами КМОП ИС описываются экспериментальные дозовые зависимости токов утечки в цифровой схеме DS18B20, полученные при различных условиях облучения: для различных значений мощностей доз облучения, для разных температур облучения и для различных электрических режимов. Моделирование показывает, что используемая модель весьма успешно описывает все наблюдаемые экспериментальные зависимости. В дополнение к этому установлено, что модель способна описывать различия, наблюдаемые при облучении КМОП ИС на разных источниках ионизирующего излучения, в частности при рентгеновском (10 кэВ) и гамма-облучении. Показано также, что модель может быть эффективно использована как средство предварительного прогнозирования стойкости КМОП ИС на этапе их технологического проектирования.

Представлены результаты экспериментальных исследований различных типов NOR флеш-памяти при воздействии гамма-излучения и проведен анализ полученных результатов в сравнении с литературными данными. Показано, что периферийное оборудование имеет значительное влияние на стойкость NOR флеш-памяти к воздействию гамма-излучения, которая также сильно зависит от режима при облучении: динамический режим «стирание-чтение-запись-чтение» является самым жестким, а пассивный режим без подачи электрической нагрузки во время облучения – наименее жестким.

Представлено теоретическое и экспериментальное обоснование возможности разработки метода диагностирования запаса по функционированию цифровых КМОП-микросхем в составе радиоэлектронной аппаратуры при воздействии статического гамма-излучения, основанного на физических принципах деградации сток-затворных характеристик p- и n-канальных транзисторов из состава микросхем.

Представлены результаты экспериментальных исследований функционирования сегнетоэлектрического энергонезависимого ОЗУ 1666РЕ014, изготовленного по FRAM-технологии, в процессе воздействия специальных факторов. Приведены дозовые уровни отказов микросхем в зависимости от режимов функционирования (чтение, запись, перезапись), а также от электрического режима в процессе облучения.

Представлены результаты исследований влияния гамма-излучения Со⁶⁰ на функционирование, статические и динамические параметры счетного триггера на основе КНИ-структур при различных электрических режимах.

Представлен измерительный комплекс, разработанный для контроля электрических параметров источников вторичного электропитания при проведении испытаний на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц.

Показана возможность использования установки УКПН-1М в качестве моделирующей при оценке соответствия электронной компонентной базы по стойкости к воздействию протонного излучения космического пространства. Приводятся технические и метрологические данные установки, предназначенной для поверки дозиметров и радиометров нейтронного излучения. Описаны трудности возникающие при аттестации установки.

Представлены результаты математического моделирования параметров нейтронного излучения реактора ПРИЗ-М на открытой площадке для размещения крупногабаритных объектов испытаний. Определены линейные размеры зоны пространства, где обеспечивается допустимая неравномерность облучения объекта испытаний. Предлагается перспективный вариант технического решения, обеспечивающего локально-циклическое облучение крупногабаритного объекта испытаний.

Представлены расчетные зависимости пространственной неоднородности облучения объекта испытаний от его линейного размера и удаления от источника излучения. Проиллюстрирован графический способ определения минимального расстояния от активной зоны исследовательского ядерного реактора ПРИЗ-М, на котором обеспечивается допустимая неравномерность облучения по всей длине крупногабаритного объекта испытаний.

Рассмотрены вопросы, связанные с обеспечением требуемой нормативными документами неравномерности, гамма-нейтронных полей статического ядерного реактора ПРИЗ-М при проведении испытаний на радиационную стойкость. Приводится определение испытательного объёма. Представлены расчётные зависимости длины, ширины и высоты испытательного объёма от расстояния до активной зоны реактора.

Представлены результаты экспериментальных исследований радиационной реакции источника вторичного электропитания и диодной сборки на воздействие импульсного гамма-рентгеновского излучения моделирующей установки Транс-4-1. Установлено наличие взаимовлияния радиационной реакции источника вторичного электропитания и подключенных элементов радиоэлектронной аппаратуры при воздействии импульсного гамма-излучения.