Приведены результаты экспериментальных исследований влияния низкой интенсивности воздействия гамма-излучения изотопа ⁶⁰Со на показатели радиационной стойкости изделий микроэлектроники КМОП-технологии к дозовым ионизационным эффектам. Выяснено, что среднее значение стойкости исследованных трех типов КМОП ИС, облученных при мощности дозы излучения 0,008 рад(Si)/с, на десятки процентов выше, чем при облучении с мощностью дозы 50 рад(Si)/с.

Предложен вариант реализации лучевого метода расчета поглощенных доз в элементах радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов (КА) при воздействии ионизирующего излучения космического пространства с использованием программ расчета переноса фотонного излучения методом Монте-Карло. Такая схема реализации расчетов лучевым методом позволяет, при необходимости, проводить сравнение результатов с «прямыми» расчетами методом Монте-Карло для одной и той же модели. Приведены примеры расчетов для отдельных микросхем и модели КА.

Проведено исследование кратковременных сбоев ТТЛ-микросхем при воздействии наносекундных импульсов рентгеновского излучения. За исключением серии 531 для всех исследованных образцов пороговая доза составила D_п ~ 0,015 Гр. Для серии 531 пороговая доза оказалась больше, что, возможно, связано с существенно большим током потребления, ускоряющим восстановление режима работы микросхемы уже в процессе облучения.

Проведены динамические исследования функциональных сбоев аппаратуры диагностики высокотемпературной плазмы при воздействии импульсного рентгеновского излучения. Из всех исследуемых приборов наиболее уязвимыми к рентгеновскому импульсу оказались электронно-оптический фотохронограф СЭР-5.

Представлены результаты исследования плотности поверхностных дефектов в МОП-транзисторах КМОП ИМС при длительном воздействии температуры 150 °С в пассивном режиме.

Рассмотрено влияние гамма-облучения на характеристики КМОП КНС интегральных схем. Представлена математическая модель n-канальной МОП КНС транзисторной структуры с учетом параметров границы раздела кремний-диэлектрик. Приведены результаты моделирования дозовых эффектов с использованием разработанной компьютерной программы. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными. Соответствие теории и результатов эксперимента позволяет подтвердить правильность модельных представлений о формировании каналов утечек при воздействии гамма-облучения. Выбраны оптимальные режимы имплантации транзисторных структур, позволяющие изготовить микросхемы с повышенным уровнем радиационной стойкости.

Разработан комплекс программ для проведения массовых инженерных расчетов плотности ионизации и структурных повреждений в материалах чувствительного объема изделий микроэлектроники (Si, Ge, GaAs и др.) при действии ионизирующих излучений космического пространства на бортовую аппаратуру (БА) космических аппаратов (КА). Реализована возможность автоматизированного формирования исходной трехмерной геометрии расчета локальных дозовых нагрузок в объеме приборов БА, используя информацию о 3D-моделях КА из сред моделирования типа Solid Works, 3D-MAX или аналогичного программного обеспечения.

Проведено экспериментальное исследование удельной энергии поля ионизирующих частиц с применением техники полупроводниковой ионизационной камеры. Использованный метод пригоден для проведения прямых измерений коэффициента качества поля ионизирующих частиц в штатных условиях эксплуатации. Обнаружено явление самовосстановления функционирования чувствительного элемента. Предлагается способ оперативной оценки качества космической «погоды в доме» в космическом аппарате и его эволюция во времени.

На основании результатов испытаний показано, что стойкость аналоговых микросхем к воздействию ионизирующего излучения (ИИ) по дозовым эффектам в составе функциональных узлов выше, чем при непосредственных испытаниях. Предложен один из возможных вариантов оптимизации обеспечения стойкости космической аппаратуры к воздействию ИИ по дозовым эффектам.

Приведены результаты расчетных исследований параметров излучений реактора ПРИЗ-М и алгоритм воспроизведения норм испытаний на радиационную стойкость при двухстороннем облучении крупногабаритных объектов. Показано, что по сравнению с односторонним облучением размеры испытательного объема с равномерными параметрами излучений увеличиваются до четырех раз.