Проведены испытания элементов, комплектующих радиоэлектронную аппаратуру (РЭА), по отдельности и в составе аппаратуры на базе синхроциклотрона С-1000 в ФГБУ «ПИЯФ им. Б.П. Константинова» с энергией протонов 1000 МэВ. Выполнена проверка соответствия реакции отдельных элементов РЭА на воздействие протонов при испытаниях с результатами испытаний РЭА в составе аппаратуры. Произведена количественная оценка показателей стойкости РЭА на основе данных о стойкости ее отдельных элементов. Выполнен сравнительный анализ показателей стойкости РЭА, полученных расчетно-экспериментальным и экспериментальным методом.

Рассмотрено влияние воздействия потока быстрых нейтронов и сопутствующего гамма-излучения на характеристики КМОП КНИ транзисторов. С использованием метода Монте-Карло проведен расчет неоднородностей в каскадах столкновений при нейтронном облучении структур КНИ. Экспериментальные данные по облучению тестовых транзисторных структур подтверждают результаты расчетов о снижении их дозовой чувствительности при комбинированном гамма-нейтронном облучении.

Приведены результаты изучения свойств подзатворных окислов МОП-транзисторов, облученных тяжелыми ионами, методом измерения «заряда до пробоя». Обсуждается влияние на результаты электрического режима при облучении и угла падения частиц. Впервые приводятся свидетельства возникновения «телеграфного шума» тока затвора в частично пробитых образцах.

Представлены результаты исследований спектра, кинетики и энергетического выхода люминесценции кристаллов YAG:Nd³⁺ при их облучении импульсами тормозного и электронного излучений со средними энергиями 1 и 2 МэВ соответственно.

Приведены результаты исследования статической вольт-амперной характеристики кремниевой диодной р+-n-n+n++-структуры, подвергнутой гамма-облучению. Установлено, что под воздействием гамма-облучения дозой Ф_γ = 5∙10¹⁶ см^-2 падения прямого напряжения уменьшаются до 10 % за счет образования радиационных центров в локальной области порядка 1 мкм у границы p-n-перехода, которые, в свою очередь, приводят к изменению градиента концентрации основных носителей заряда в базовой области кремния n-типа проводимости, а незначительное уменьшение напряжения пробоя связано с шунтированием выпрямляющего р-n-перехода переходом металл-изолятор-металл, при этом, появление перед пробоем дополнительного участка с показателем степени равным восьми можно связать с пробойными явлениями через радиационно-обработанный изолятор, в данном случае возможен микроплазменный пробой в изоляторе.

Предложен метод оперативной оценки эффективных значений максимальной мощности дозы и длительности импульса сопутствующего гамма-излучения импульсных гамма-нейтронных установок. Эффективность гамма-излучения оценивается по отношению к излучению опорных (эталонных) установок. Метод позволяет оперативно определять эффективное значение максимальной мощности дозы в заданной точке поля излучения непосредственно после импульса установки и оценивать эффективную длительность гамма-излучения без использования специального датчика с интегрированием его выходного сигнала в процессе изменения этого сигнала в диапазоне нескольких порядков.

Получена предварительная оценка отжига структурных повреждений в изделиях на основе кремния после воздействия гамма-нейтронного импульса излучения установки БАРС-4 и выдержки облученных изделий в пассивном режиме. Оценка проводилась путем измерений статического коэффициента передачи тока базы биполярных транзисторов типа 2Т312Б в течение ~ трех месяцев после их облучения с флюенсом нейтронов Ф_0,1 = 4,3·10¹³ см^-2 и дозой сопутствующего гамма-излучения D =·9,1·10³ Р.

Приведена методика и математический аппарат приближенного оценивания расчетных характеристик ЯЭУ с одноэлементными электрогенерирующими каналами для выполнения проектных работ на начальном этапе проектирования.