Представлена методика внесения сбоев с учетом топологии, предназначенная для внедрения в процесс разработки сбоеустойчивых интегральных схем. Методика полностью совместима со стандартным маршрутом верификации, в работе описано применение методики при разработке троированного ядра шифрования по стандарту AES.

Предложен метод для оценки сбоеустойчивости топологической реализации контроллеров прямого доступа к памяти с локальным, распределенным и блочным тройным модульным резервированием. Представлен сравнительный анализ результатов моделирования.

Проведено моделирование экспериментальных дозовых зависимостей информативного параметра МОП-детектора в условиях воздействия гамма-излучения установок с изотопными источниками ⁶⁰Со при мощности дозы в диапазоне 0,00011 – 39,6 рад/с. При мощностях дозы 0,0082 и 0,1 рад/с измерены вольт-амперные характеристики МОП-детектора и определен вклад поверхностных состояний в дозовую зависимость сдвига порогового напряжения. Показано, что предлагаемая модель встраивания поверхностных состояний позволяет прогнозировать зависимость информативного параметра дозиметра от дозы для разных мощностей дозы.

Представлена методика статистической обработки экспериментальных данных по защелке интегральных схем от тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ), получаемых на ускорителях ТЗЧ. Предложены функции распределения вероятности времени до одной защелки и соответствующие их модификации для флюенса до одной защелки. Предложены новые подходы к оценке вероятности безотказной работы в условиях космического пространства, основанные на статистике экстремальных событий.

Представлены результаты исследований влияния гамма-излучения Со⁶⁰ на параметры двух типов микросхем двойных драйверов для управления MOП-транзисторами, а также микросхемы однократно электрически программируемого постоянного запоминающего устройства.

Зарегистрированы отклики двух черенковских детекторов СЧДИ3 на субнаносекундный импульс тока электронного пучка. Длительность импульса тока электронов, измеренная с помощью монитора с коаксиальным коллектором, составила t_{0,5 э} ~ (0,265…0,280) нс. Длительности сигналов, зарегистрированных черенковскими детекторами № 1 и № 2, составили t_{0,5 ч1} ~ (0,375…0,390) нс и t_{0,5 ч2} ~ (0,385…0,400) нс соответственно.

Приведены результаты исследований по оптимизации массовых характеристик дополнительной радиационной защиты приборов, имеющих критические элементы по радиационной стойкости. Показано, что за счет выбора неравномерной по толщине радиационной защиты прибора масса дополнительной защиты может быть уменьшена в 1,5-2 раза по сравнению с равномерным увеличением толщины кожуха прибора по всей его поверхности. Приведены примеры конструктивного облика дополнительной защиты для различного числа критических элементов прибора.

Представлены соотношения для возможного варианта расчета времени облучения и отбора кремния электронного, дырочного и смешанного типов проводимости с учетом неоднородности плотности потока нейтронов и распределения фосфора в исходном материале с целью получения минимальных отклонений от номинала заданного удельного сопротивления. В качестве критерия определения оптимального времени облучения использовано равенство экстремальных отклонений от номинала.